产品中心_腾云创芯

产品中心

Products

腾云创芯
12英寸电子级硅片

主要从事12英寸FDSOI、SOI、 POI、 GOI、SGOI电子级硅片衬底材料，能满足集成电路对大尺寸硅片的高品质要求。产品广泛应用于逻辑芯片、功率器件、硅光芯片、图像传感器、显示驱动芯片及电子通讯、新能源汽车等领域所需要的存储芯片。

FDSOI
SOI
POI
GOI
SGOI

FDSOI

全耗尽型绝缘体上硅

FDSOI（Fully Depleted Silicon on Insulator，全耗尽型绝缘体上硅）晶圆是一种特殊结构的衬底材料，其核心特征是在传统硅衬底上增加超薄绝缘层（埋氧层，Buried Oxide）和硅薄膜结构。FD-SOI被公认为低功率、RF和毫米波应用的领先技术。‌
应用领域：物联网、射频器件、模拟芯片、汽车电子和工业控制芯片。
SOI

绝缘体上硅材料

SOI 衬底 (Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅) 具有三层结构：顶层的单晶硅薄膜 (器件层)、中间的二氧化硅绝缘层 (BOX 层，Buried Oxide Layer) 和底层的硅衬底。
POI

绝缘体上压电材料

POI 衬底 (Piezo-on-Insulator, 绝缘体上压电材料)是一种将压电材料转移到绝缘体衬底材料上的新型压电单晶复合薄膜结构材料。主要应用于射频领域。
GOI

绝缘体上锗材料

GOI衬底（绝缘体上锗材料）是一种由绝缘衬底层和锗层组成的半导体材料，它是一种高端硅基衬底材料，通常采用智能剥离等方法制备。GOI衬底与标准的硅互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容，这使得它能够在同一芯片上集成光电电路。
SGOI

绝缘体上锗硅材料

SGOI（绝缘体上锗硅）是一种由绝缘衬底和锗硅层组成的硅基半导体材料，结合了绝缘体上硅和锗硅两种先进技术的优势，是应变硅技术的理想衬底材料。广泛用于硅基微电子、光电子等领域。

公司地址

上海市浦东新区盛夏路169号A幢413室

服务电话

15190978587

Copyright© 2025 腾云创芯半导体材料(上海)有限公司 .All right reserved

沪ICP备15040260号-1 技术支持: FEIYU