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公司简介 核心团队 资质专利 未来愿景
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Silicon
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腾云创芯是一家拥有核心技术,
为客户提供先进硅基衬底产品的高新技术企业

腾云创芯半导体材料 (上海) 有限公司成立于2025年3月11日,是一家致力于高端硅基材料研发、制造与销售的高新技术企业。主要从事12英寸POI、 SOI、 FDSOI、GOI、SGOI电子级硅片衬底材料,能满足集成电路对大尺寸硅片的高品质要求。

产品广泛应用于逻辑芯片、功率器件、硅光芯片、图像传感器、显示驱动芯片及电子通讯、新能源汽车等领域所需要的存储芯片。在硅片技术、制造工艺与最前沿的先进半导体异质集成技术等领域掌握关键核心技术专利,致力于生产高品质、高均匀性、所需表层硅厚度产品。

核心团队
我们的创始团队成员由国家高级专家及多位博士所组成
  • 陈敏腾/

    陈敏腾,男,博士学位,毕业于台湾清华大学材料工程专业,深耕半导体工艺及设备行业15 年,掌握LED、Logic、DRAM、3D DRAM多领域先进工艺关键技术与专利。先后在璨圆光电(台湾)、汉微科(台湾)、联电(台湾)、晋华(福建)、鹏新旭(深圳)等知名企业承担研发工作, 主持攻关多项关键先进工艺技术。

    2010-2025 年参与负责多项半导体先进工艺及设备的研发和产业化,深度参与多种先进型号MOCVD系统、缺陷检测系统、原子层沉积系统、炉管系统、高温热退火系统、离子注入系统和外延沉积系统等先进工艺研发与开发设计,并负责深耕与调试多个关键子系统开发及对工艺的影响效果,包括高真空腔体及传输系统、Susceptor结构、电子束枪结构、花洒结构、外延腔体机械构造系统、加热系统、预清洁腔体系统等,增强LED、Logic、DRAM、3D DRAM薄膜沉积及外延沉积工艺,改进半导体先进工艺薄膜均匀性、稳定性和可调性, 进而提升元器件特性。


资质专利
  • 发明专利
    一种FD-SOI衬底结构通过氢、碳离子注入工艺的制备方法
  • 发明专利
    一种FD-SOI衬底结构通过氢、锗离子注入工艺的制备方法
  • 发明专利
    一种FD-SOI衬底结构通过多道离子注入工艺的制备方法
  • 发明专利
    一种FD-SOI衬底结构通过氢、硼、氮离子注入工艺的制备方法
  • 发明专利
    一种GeOI衬底结构通过离子注入工艺的制备方法
  • 发明专利
    一种应变SGOI衬底结构的制备方法
  • 发明专利
    一种FD-SOI衬底结构通过氢、碳离子注入工艺的制备方法
  • 发明专利
    一种刻蚀沟槽及通孔线边缘粗糙度优化方法
  • 发明专利
    一种绝缘体上锗衬底结构的制备方法
  • 发明专利
    一种FD-GeOI衬底结构通过离子注入工艺的制备方法
  • 发明专利
    一种绝缘体上锗衬底结构通过离子注入工艺的制备方法
  • 发明专利
    一种应变SGOI衬底结构通过离子注入工艺的制备方法
未来愿景
创造世界一流的半导体材料公司
成为推动中国及全球半导体前进的一份子