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SGOI
绝缘体上锗硅材料
SGOI(绝缘体上锗硅)是一种由绝缘衬底和锗硅层组成的硅基半导体材料,结合了绝缘体上硅和锗硅两种先进技术的优势,是应变硅技术的理想衬底材料。广泛用于硅基微电子、光电子等领域。
产
品
咨
询
结构组成
顶层
单晶 SiGe 薄膜组成
中间层
埋置绝缘层(如 SiO₂)
底层
支撑衬底(如硅)
核心优势
01
顶层
单晶 SiGe 薄膜组成
02
中间层
埋置绝缘层(如 SiO₂)
03
底层
支撑衬底(如硅)
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