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绝缘体上锗材料

GOI衬底（绝缘体上锗材料）是一种由绝缘衬底层和锗层组成的半导体材料，它是一种高端硅基衬底材料，通常采用智能剥离等方法制备。GOI衬底与标准的硅互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容，这使得它能够在同一芯片上集成光电电路。

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