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绝缘体上硅材料
SOI 衬底 (Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅) 具有三层结构:顶层的单晶硅薄膜 (器件层)、中间的二氧化硅绝缘层 (BOX 层,Buried Oxide Layer) 和底层的硅衬底。
产
品
咨
询
结构组成
顶层
一层薄薄的单晶硅层(有源层,用于制造晶体管等器件)
中间层
一层超薄的绝缘层(通常是二氧化硅 SiO₂,称为埋氧层或 BOX - Buried Oxide)
底层
支撑用的硅衬底基板
核心优势
01
顶层
一层薄薄的单晶硅层(有源层,用于制造晶体管等器件)
02
中间层
一层超薄的绝缘层(通常是二氧化硅 SiO₂,称为埋氧层或 BOX - Buried Oxide)
03
底层
支撑用的硅衬底基板
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