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FDSOI
全耗尽型绝缘体上硅
FDSOI（Fully Depleted Silicon on Insulator，全耗尽型绝缘体上硅）晶圆是一种特殊结构的衬底材料，其核心特征是在传统硅衬底上增加超薄绝缘层（埋氧层，Buried Oxide）和硅薄膜结构。FD-SOI被公认为低功率、RF和毫米波应用的领先技术。‌
应用领域：物联网、射频器件、模拟芯片、汽车电子和工业控制芯片。
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